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观点网讯：7月14日，韩国LG电子宣布其生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发项目，目标在2028年实现大规模量产。该技术被视为下一代高带宽存储器（HBM）制造的关键环节。 混合键合采用无凸块的铜-铜直接键合方式，可显著缩小各层DRAM芯片间距，在有限高度内实现16层以上堆叠，同时降低发热量。 免责声明：本文内容与数据由观点根据公开信息整理，不构成投资建议，使用前请核实。 （责任编辑：张晓波 ）
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